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熱化學(xué)氣相沉積-熱CVD技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2022-07-21 點(diǎn)擊量:1996

熱化學(xué)氣相沉積-熱CVD技術(shù)

化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)是用來(lái)制備高純、高性能固體薄膜的主要技術(shù)。在典型的CVD工藝過(guò)程中,把一種或多種蒸汽源原子或分子引入腔室中,在外部能量作用下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在襯底表面形成需要的薄膜。由于CVD技術(shù)具有成膜范圍廣、重現(xiàn)性好等優(yōu)點(diǎn),被廣泛用于多種不同形態(tài)的成膜。北方華創(chuàng)微電子憑借十余年的微電子領(lǐng)域工藝設(shè)備開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn),先后完成了PECVD、APCVD、LPCVD、ALD等設(shè)備的開(kāi)發(fā),致力于為集成電路、半導(dǎo)體照明、微機(jī)電系統(tǒng)、功率半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、新能源光伏等領(lǐng)域提供各種類(lèi)型的CVD設(shè)備,滿(mǎn)足客戶(hù)多種制造工藝需求。

熱CVD設(shè)備型號(hào):HCVD400-40 / 工作溫度:800℃

套裝內(nèi)容:管式爐、控制器、石英爐芯管、法蘭、支架、龍門(mén)架
       * 討論了龍門(mén)架的形狀和尺寸、燃?xì)忸?lèi)型、流量計(jì)、燃?xì)夤艿馈㈤y門(mén)部件。

主要規(guī)格
 加熱部分爐體外形:260×400L/爐內(nèi)尺寸:φ80×350L
加熱器容量:1480W
常溫:1050℃ 
 溫度控制單元觸摸面板式程序溫度控制器 
程序:10 模式/9 步,電源
100V15A 型號(hào):HK10P-115K,電源 100V/15A
* ELB,過(guò)熱防止,冷卻風(fēng)扇,帶 ON/OFF 開(kāi)關(guān)
 氣氛芯管:透明石英管(GE214)Φ36×φ40×700L
*本裝置芯管內(nèi)徑為φ36mm,購(gòu)買(mǎi)前請(qǐng)查看樣品尺寸。
法蘭:φ40用火芯管連接法蘭(材質(zhì):主體/SUS304、O型圈/Biton)
氣體導(dǎo)入管連接直徑:1/4英寸(Φ6.35)咬合



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