日本napsonμ非接觸μ-PCD法測(cè)量硅片磚壽命

產(chǎn)品型號(hào)： HF-300

所屬分類：

產(chǎn)品時(shí)間：2024-09-07

簡(jiǎn)要描述：日本napsonμ非接觸μ-PCD法測(cè)量硅片磚壽命
非接觸/無損壽命測(cè)量
與單晶和多晶硅樣品兼容
支持多點(diǎn)樣本測(cè)量和映射圖像顯示
包含激情膠囊（用于威化餅）

聯(lián)系我們 在線咨詢

日本napsonμ非接觸μ-PCD法測(cè)量硅片磚壽命

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 非接觸/無損壽命測(cè)量
• 與單晶和多晶硅樣品兼容
• 支持多點(diǎn)樣本測(cè)量和映射圖像顯示
• 包含激情膠囊（用于威化餅）

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

單晶/多晶硅晶片，磚（散裝）

測(cè)量尺寸

[晶片] <方形>
?210 x 210mm <圓形>?200mmφ
[磚]大210（寬）x 210（高）x 500（深）mm

測(cè)量范圍

0.1μS至1,000μS
（要測(cè)量的電阻范圍; 0.1至1kΩ ·cm）

<測(cè)量激光單元>類型：半導(dǎo)體激光二極管，
波長(zhǎng)：905 nm（對(duì)于晶片）/ 1,000 nm（對(duì)于磚），峰值功率：60 W，脈沖寬度：80 nS

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 非接觸/無損壽命測(cè)量
• 與單晶和多晶硅樣品兼容
• 支持多點(diǎn)樣本測(cè)量和映射圖像顯示
• 包含激情膠囊（用于威化餅）

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

單晶/多晶硅晶片，磚（散裝）

測(cè)量尺寸

[晶片] <方形>
?210 x 210mm <圓形>?200mmφ
[磚]大210（寬）x 210（高）x 500（深）mm

測(cè)量范圍

0.1μS至1,000μS
（要測(cè)量的電阻范圍; 0.1至1kΩ ·cm）

<測(cè)量激光單元>類型：半導(dǎo)體激光二極管，
波長(zhǎng)：905 nm（對(duì)于晶片）/ 1,000 nm（對(duì)于磚），峰值功率：60 W，脈沖寬度：80 nS